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FT8395HB-RT和FT8395HB2同為12W原邊反饋控制芯片,有哪些區(qū)別?
類(lèi)別:產(chǎn)品新聞 發(fā)布時(shí)間:2025-07-17 11:49:10 瀏覽人數(shù):14605
在 12 W 原邊反饋(PSR)交直流轉(zhuǎn)換器圈子里,F(xiàn)remont Micro 的 FT8395 系列一直是“高性?xún)r(jià)比”“省光耦”“六級(jí)能效”的代名詞。其中 FT8395HB-RTFT8395HB2 最容易讓人犯懵:都是 SOP-8、都是 12 W、都號(hào)稱(chēng)“無(wú)需光耦/TL431”,那型號(hào)后綴里突兀的 “-RT” 和 “2” 究竟藏著哪些差異?本文把兩顆芯片從 datasheet 到工程實(shí)測(cè)、從晶圓到安規(guī),全部拆給你看。

先看官方絲印:一眼識(shí)破“代際”密碼


料號(hào)絲印第一行內(nèi)部追溯碼位置批次碼     
FT8395HB-RTFT8395HB1~3 位早期批次,2020 以前居多
FT8395HB2FT8395HB21~6 位2021 起量產(chǎn),支持新追溯系統(tǒng)
結(jié)論:絲印“2”即代表 第二代晶圓,追溯碼長(zhǎng)度直接翻倍。

把規(guī)格書(shū)重疊:參數(shù)級(jí)差異速查表


(“√”表示存在差異,“—”表示基本一致)


關(guān)鍵指標(biāo)FT8395HB-RT  FT8395HB2備注
功率管耐壓700 V750 V√ 余量↑50 V
恒壓精度±5 %±3 %√ 內(nèi)置修調(diào)
恒流精度±7 %±5 %√ 量產(chǎn)統(tǒng)計(jì)值
PFM+QR 頻率上限130 kHz150 kHz√ EMI 窗口更寬
抖頻幅度±4 kHz±6 kHz√ 傳導(dǎo)余量↑
VCC 啟動(dòng)電流5 μA typ3 μA typ√ 空載功耗再降
過(guò)溫保護(hù)150 °C 閂鎖150 °C 打嗝√ 異常解除自恢復(fù)
線損補(bǔ)償固定四檔可調(diào)√ 外部分壓電阻
封裝及輸出SOP-8/12V1ASOP-8/5V2.4A— 引腳完全兼容

安規(guī)認(rèn)證

EN/UL/CCCEN/UL/CCC/CB√ CB 2022 新增
一句話總結(jié):HB2 把能調(diào)的模擬指標(biāo)都往“更精、更穩(wěn)、更低待機(jī)”方向擰了一圈。 在同為 SOP-8 封裝且外圍幾乎不變的前提下,F(xiàn)T8395HB-RT 的 12 V/1 A 與 FT8395HB2 的 5 V/2.4 A 其實(shí)只差變壓器匝比和 FB 分壓——官方把匝比從 12 V 方案約 11:1 調(diào)到 5 V 方案約 6:1,再把次級(jí)整流管換成 40 V 肖特基即可;芯片本體無(wú)需改動(dòng),真正實(shí)現(xiàn)“一顆料,兩檔功率”。

實(shí)測(cè)對(duì)比:效率、待機(jī)、EMI 三維圖


1. 效率曲線(230 Vac,12 V/1 A 負(fù)載)

  • HB-RT:板端 84.7 %
  • HB2:板端 86.1 %
    提升 1.4 %,主要來(lái)自谷底導(dǎo)通窗口優(yōu)化功率管 RDS(on) 下降 15 mΩ


2. 空載功耗

  • HB-RT:75 mW @ 230 Vac
  • HB2:< 68 mW @ 230 Vac(實(shí)測(cè) 64 mW)
    秘訣:VCC 啟動(dòng)電流降低 + 跳頻休眠深度加大。


3. 傳導(dǎo) EMI(EN55032)

  • HB-RT:QP 余量 5~6 dB
  • HB2:QP 余量 > 10 dB無(wú) Y 電容即可過(guò) Class B。
    原因:抖頻步進(jìn)從 250 Hz 改成 125 Hz,能量分散更均勻。

工程落地:PCB 與 BOM 的“變與不變”


項(xiàng)目HB-RT → HB2 遷移工作量
管腳定義100 % 兼容,直接替換
變壓器匝比/電感量無(wú)需改動(dòng)
RCD 吸收因 Vds 峰值略降,可減小 5 % 電容
FB 分壓若想使用 線損補(bǔ)償,下偏電阻改為可調(diào)電阻
Y 電容多數(shù)場(chǎng)合可省,BOM Cost ↓ 0.03 USD
待機(jī)功耗滿足歐盟 CoC Tier-2 最新 75 mW 限值

一句話:**“一晚就能改完”**的 painless 升級(jí)。





選型決策樹(shù):什么時(shí)候堅(jiān)持老 HB-RT?


場(chǎng)景建議
庫(kù)存還有 100k 舊料繼續(xù)用,無(wú)需換線
新項(xiàng)目需過(guò) 2023 版 CoC 或 DOE6直接上 HB2
想省 Y 電容,PCB 空間緊張HB2 無(wú) Y 更容易通過(guò)
成本敏感,一毛都不想加HB-RT 仍可下單,但交期拉長(zhǎng)

官方路線圖:HB2 之后的“隱藏款”


據(jù) FAE 透露,F(xiàn)T8395 HB3(內(nèi)部工程樣片)已進(jìn)入 2000 小時(shí)可靠性考核:
  • 功率管 800 V(GaN 共封待選)
  • 集成 5 V LDO 供 MCU
  • 封裝維持 SOP-8,但厚度減至 1.3 mm
    預(yù)計(jì) 2024 Q2 發(fā)布,若項(xiàng)目生命周期長(zhǎng),可提前與原廠簽 NDA 留樣。


結(jié)語(yǔ):后綴越小,升級(jí)越大


FT8395HB-RT → FT8395HB2,看似只是“-RT”變“2”,實(shí)則從晶圓、IP 到封裝測(cè)試,整條鏈路都翻了一代。
如果你的 12 W 充電器/適配器/IoT 電源還在為“六級(jí)能效最后一跳”或“無(wú) Y 電容 EMI 不過(guò)”頭疼,直接上 HB2,基本能把風(fēng)險(xiǎn)降到零。
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